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说碳化硅(SiC)半导体材料拥有光明的未来的原因在哪
2022-03-17
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它们体积小巧,功能强大且效率极高:由碳化硅制成的半导体可以帮助将电池和传感器中的电力电子技术提升到一个新的水平-为电动汽车的突破和支持工业领域的数字化做出重大贡献。
与传统的硅半导体相比,SiC功率电子半导体可以制造出多少小得多的材料。这是可能的,因为它们具有较大的带宽,从而使它们能够以较少的热损失转换电能。硅半导体必须大得多才能实现相同的性能。
300–500%
SiC半导体也是理想的。超高速网络将需要大量的功率和性能,尤其是传输站等基础设施组件。为了使智能手机更快地充电,制造商将来可能会使用SiC半导体。此外,新型半导体还非常适合无线充电器和数据中心服务器。
基本上,所有半导体都是由晶体制成的,晶体是由粉末(例如硅或碳化硅)在非常高的温度下制成的。随后将晶体切成薄片,称为晶圆。可以将非常复杂的电子电路沉积到晶圆上,从而最终构成微电子设备。 新型SiC半导体材料的生产
超过50年
碳化硅半导体的生产和碳化硅晶体的生长已进行了大量研究,而碳化硅晶体的生长主要采用物理气相传输(PVT)工艺。在高温和低压下制造小的碳化硅晶体。颗粒通过载气到达较冷的籽晶,在此由于过饱和而发生结晶。
是最近的碳化硅晶片的尺寸。很快,将以工业规模生产直径200毫米的SiC晶片。此时,它们的尺寸将达到“传统”硅基行业的标准,从而实现SiC基电子产品的突破。
10倍
与传统的硅半导体相比,SiC功率电子半导体可以制造出多少小得多的材料。这是可能的,因为它们具有较大的带宽,从而使它们能够以较少的热损失转换电能。硅半导体必须大得多才能实现相同的性能。
减少多达50%
300–500%
10%至15%
适用于现代5G技术
SiC半导体也是理想的。超高速网络将需要大量的功率和性能,尤其是传输站等基础设施组件。为了使智能手机更快地充电,制造商将来可能会使用SiC半导体。此外,新型半导体还非常适合无线充电器和数据中心服务器。
无限可能
4,120亿美元
基本上,所有半导体都是由晶体制成的,晶体是由粉末(例如硅或碳化硅)在非常高的温度下制成的。随后将晶体切成薄片,称为晶圆。可以将非常复杂的电子电路沉积到晶圆上,从而最终构成微电子设备。 新型SiC半导体材料的生产
超过50年
碳化硅半导体的生产和碳化硅晶体的生长已进行了大量研究,而碳化硅晶体的生长主要采用物理气相传输(PVT)工艺。在高温和低压下制造小的碳化硅晶体。颗粒通过载气到达较冷的籽晶,在此由于过饱和而发生结晶。
2400摄氏度
10至14天
直径150毫米
是最近的碳化硅晶片的尺寸。很快,将以工业规模生产直径200毫米的SiC晶片。此时,它们的尺寸将达到“传统”硅基行业的标准,从而实现SiC基电子产品的突破。
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